Samsung und Chip-Urvater IBM haben ein neues Chipdesign angeteast, das exorbitante Akkulaufzeiten ermöglichen soll.
Könnt ihr euch noch an die guten alten Nokia-3310-Zeiten erinnern? Damals konnte kaum jemand aus dem Stegreif sagen, wann das eigene Handy zum letzten Mal geladen wurde – schließlich war es gefühlt Wochen her. Heutzutage bekommt ihr auf die Frage nach dem letzten Ladezeitpunkt meist die Antworten „Heute“ oder „Gestern“. Logisch, denn moderne Smartphones sind eben Hochleistungs-Computer für die Hosentasche, die einiges an Energie benötigen.
Trotzdem ist es an der Zeit, dass wir die Ladezeiten wieder vergessen dürfen – und dahingehend gibt es nun (wieder mal) Hoffnung. Smartphone-Gigant Samsung und Chip-Pionier IBM arbeiten gemeinsam an einem neuen Transistordesign für Mikrochips namens „Vertical Field Effect Transistors“ (VTFET).
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Hierbei werden die Transistoren (Halbleiter, die die Zustände „1“ und „0“ annehmen können) vertikal übereinander gebaut. Dadurch können mehr Transistoren auf dieselbe Fläche gebracht werden, was wiederum mehr Berechnungen erlaubt. Durch die engere Bauweise wird zudem weniger Spannung benötigt, um die Halbleiter mit Strom zu versorgen. Laut IBM könnte so der Energiebedarf um 85 Prozent reduziert werden – während sich die Leistung gleichzeitig verdoppelt.
IBM und Samsung unterstreichen diese beeindruckenden Zahlen mit hypothetischen Einsatzszenarien für die VTFET-Technologie. Glaubt man ihnen, so könnten – ganz ohne neue Batterietechnik – Akkulaufzeiten von bis zu einer Woche in Smartphones erreicht werden. Auch energiefressende Crypto-Währungen dürften von der effizienteren Bauweise von Mining-GPUs profitieren. Selbst vom Einsatz in künftigen Raumschiffen sprechen IBM und Samsung. Sie scheinen also zu wissen, wie man die Aufmerksamkeit der Nerd-Gemeinde weckt ;-).
Die beiden Firmen sind bei der Suche nach dem heiligen Gral der kommenden Transistorbauweise aber nicht alleine. Intel hat unlängst RibbonFET präsentiert. Dabei handelt es sich ebenfalls um eine Bauweise (Gate-All-Around), die die Vertikalebene ausnutzt, um mehr effiziente Transistoren auf einen Chip zu bringen.
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Es bleibt also ein spannendes Technologierennen zwischen den Großunternehmen, das unsere Zukunft wohl maßgeblich beeinflussen wird. Wir sind nämlich noch einige Jahre vom Einsatz von VTFET- und RibbonFET-Halbleitern entfernt. Zu ersteren gibt es noch gar keinen genauen Starttermin, letztere sollen hingegen 2024 in die Massenproduktion gehen.
Ein spannendes Thema, zu dem wir euch gerne weiterhin auf dem Laufenden halten. Was wünscht ihr euch am ehesten von kommenden Chips? Schreibt es uns im Kommentarbereich.
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via: IBM News, The Verge, Intel, Lam Research
